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化學氣相沉積
制備材料的氣相生長方法
化學氣相沉積是一種制備材料的氣相生長方法，它是把一種或幾種含有構成薄膜元素的化合物、單質(zhì)氣體通入放置有基材的反應室，借助空間氣相化學反應在基體表面上沉積固態(tài)薄膜的工藝技術。
基本信息
| 中文名 | 化學氣相沉積 |
| 外文名 | Chemical vapor deposition |
| 領域 | 化工 |
| 簡稱 | CVD |
| 性質(zhì) |
?定義
化學氣相沉積(Chemical vapor deposition，簡稱CVD)是反應物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學反應，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進而制得固體材料的工藝技術。它本質(zhì)上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質(zhì)過程。與之相對的是物理氣相沉積（PVD）。
應用
現(xiàn)代科學和技術需要使用大量功能各異的無機新材料，這些功能材料必須是高純的，或者是在高純材料中有意地摻入某種雜質(zhì)形成的摻雜材料。但是，我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結(jié)晶等往往難以滿足這些要求，也難以保證得到高純度的產(chǎn)品。因此，無機新材料的合成就成為現(xiàn)代材料科學中的主要課題。
特點
1)在中溫或高溫下，通過氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質(zhì)沉積在基體上。
2)可以在 常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質(zhì)量較好)。
3)采用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。
4)涂層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。
5)可以控制涂層的密度和涂層純度。
6)繞鍍件好。可在復雜形狀的 基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合涂復各種復雜形狀的工件。由于它的繞鍍性能好，所以可涂復帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。
7) 沉積層通常具有柱狀晶體結(jié)構，不耐彎曲，但可通過各種技術對 化學反應進行氣相擾動，以改善其結(jié)構。
8)可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。
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