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基本信息
| 外文名 | Diffusion capacitance |
正文
擴散電容
擴散電容：對于正偏pn結，當外加偏壓增大時，注入n區(qū)的空穴增加，在n區(qū)的空穴擴散區(qū)內形成空穴積累，為保持電中性條件，擴散區(qū)內電子濃度也相應增加。電子注入p區(qū)情形類似，這種擴散區(qū)中電荷隨外加偏壓變化而變化所產生的電荷存儲效應等效為電容，稱擴散電容。
二極管的電容效應在交流信號作用下才會表現(xiàn)出來。
反向偏置時，由于少數(shù)載流子數(shù)目很少，可忽略擴散電容。而勢壘電容在正偏和反偏時均不能忽略。
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補充說明：
pn結擴散電容是來自于非平衡載少數(shù)流子在pn結兩邊的中性區(qū)內的電荷存儲所造成的電容效應（因為在中性擴散區(qū)內存儲有等量的非平衡電子和非平衡空穴的電荷，它們的數(shù)量受到結電壓控制）。這種由于注入載流子存儲電荷隨著電 壓變化所產生的擴散電容將隨正向電壓而按指數(shù)式增大；擴散電容也與直流偏壓有關（也是一種非線性電容），也將隨著直流偏壓的增大而指數(shù)式增大，故擴散電容在正向偏壓下比較大。
另外，由于pn結擴散電容與少數(shù)載流子的積累有關，而少數(shù)載流子的產生與復合都需要一個時間（稱為壽命τ）過程，所以擴散電容在高頻下基本上不起作用。這就是說，擴散電容還與外加結電壓的信號頻率ω有關，并從而常常用乘積(ωτ)的大小來劃分器件工作頻率的高低：在低頻(ωτ<<1, ωτ<<1)、即[外加信號的變化周期]>>[存儲電荷再分布的時間]時，少數(shù)載流子存儲電荷的變化跟得上外加信號的變化, 則擴散電容較大；在高頻 (ωτ >>1, ωτ>>1)、即存儲電荷跟不上外加信號的變化時, 擴散電容很小（隨著(ωτ)1/2下降)，故擴散電容在低頻下很重要。
因為pn結的開關速度主要決定于在兩邊中性區(qū)內存儲的少數(shù)載流子，所以，從本質上來說，也就是擴散電容對開關速度的影響。
總之，pn結的擴散電容與其勢壘電容不同。前者是少數(shù)載流子引起的電容，對于pn結的開關速度有很大影響，在正偏下起很大作用、在反偏下可以忽略，在低頻時很重要、在高頻時可以忽略；后者是多數(shù)載流子引起的電容，在反偏和正偏時都起作用，并且在低頻和高頻下都很重要。
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