凝聚態(tài)物理學(xué)的基本任務(wù)在于闡明微觀結(jié)構(gòu)與物性的關(guān)系,因而判斷構(gòu)成凝聚態(tài)物質(zhì)的某些類型微觀粒子的集體是否呈現(xiàn)量子特征(波粒二象性)是至關(guān)緊要的。電子質(zhì)量小,常溫下明顯地呈現(xiàn)量子特征;離子或原子則由于質(zhì)量較重,只有低溫下(約4K)的液氦或極低溫下(μK至nK)的堿金屬稀薄氣體,原子的量子特征才突出地表現(xiàn)出來。這也說明為何低溫條件對(duì)凝聚態(tài)物理學(xué)的研究十分重要。微觀粒子分為兩類:一類是費(fèi)米子,具有半整數(shù)的自旋,服從泡利不相容原理;另一類是玻色子,具有整數(shù)的自旋,同一能態(tài)容許任意數(shù)的粒子占據(jù)。這兩類粒子的物理行為判然有別。 固體電子論
對(duì)固體中電子行為的研究一直是固體物理學(xué)的核心問題。凝聚態(tài)物理學(xué)中情況依然如此。固體中電子的行為可按電子間相互作用的大小,分為三個(gè)區(qū)域。
①弱關(guān)聯(lián)區(qū)。基于電子受晶格上離子散射的能帶理論,為固體中電子行為提供了合適的理論框架,應(yīng)用于半導(dǎo)體和簡(jiǎn)單金屬已取得非凡的成功,也構(gòu)成半導(dǎo)體物理學(xué)的理論基礎(chǔ)。
②中等關(guān)聯(lián)區(qū)。包括一般金屬和強(qiáng)磁性物質(zhì)。朗道的費(fèi)米液體理論成功地描述了一般金屬以及低溫下He液體中的元激發(fā)及物理行為。W.科恩等發(fā)展的密度泛函理論則提供了高效計(jì)算復(fù)雜結(jié)構(gòu)材料中電子結(jié)構(gòu)的理論框架。電子之間的交換相互作用(包括直接、間接、超交換、雙交換及巡游交換)導(dǎo)致了磁有序相(鐵磁體、反鐵磁體及更鐵磁體)的形成。有關(guān)磁有序相的激發(fā)態(tài)(磁振子與磁疇)又提供了理解其物理參數(shù)和磁化曲線的契機(jī),構(gòu)成了鐵磁學(xué)的物理基礎(chǔ)。 ③強(qiáng)關(guān)聯(lián)區(qū)。涉及電子濃度甚低的不良金屬。能帶理論建立不久,E.維格納就設(shè)想庫(kù)侖斥力使電子定域于維格納晶格上,接著N.莫脫認(rèn)為NiO這類氧化物是因關(guān)聯(lián)導(dǎo)致的絕緣體,即莫脫絕緣體。20世紀(jì)60年代近藤對(duì)于稀磁合金中電阻極小現(xiàn)象作了理論解釋,稱為近藤效應(yīng)。80—90年代在一系列摻雜莫脫絕緣體中發(fā)現(xiàn)了奇異的物性,如銅氧化物中發(fā)現(xiàn)高溫超導(dǎo)體、錳氧化物中發(fā)現(xiàn)巨磁電阻效應(yīng)等。另外,還在與近藤效應(yīng)有關(guān)的鑭系和錒系重電子合金中發(fā)現(xiàn)了多種有序相和反常的物性。對(duì)上述各類的強(qiáng)關(guān)聯(lián)物質(zhì)中的物性問題研究,尚未得到圓滿解決。 宏觀量子態(tài)
低溫物理學(xué)研究的重大成果在于發(fā)現(xiàn)了金屬與合金中的超導(dǎo)現(xiàn)象(電阻在T以下突降為零,磁通全部被斥,成為完全抗磁體)和液氦中的超流現(xiàn)象(黏滯系數(shù)在T以下突降為零)。這些宏觀量子態(tài)現(xiàn)象的出現(xiàn)是規(guī)范對(duì)稱性(波函數(shù)相位可為任意值)破缺的后果。早在1924年愛因斯坦就根據(jù)玻色-愛因斯坦統(tǒng)計(jì)提出了玻色-愛因斯坦凝聚的設(shè)想,即理想的玻色氣體在低溫下會(huì)出現(xiàn)基態(tài)為宏觀的粒子數(shù)所占。 He原子是玻色子,因而在 He超流發(fā)現(xiàn)之后,F(xiàn).倫敦就提出超流態(tài)是玻色–愛因斯坦凝聚的結(jié)果。而倫敦所提出的描述超導(dǎo)電動(dòng)力學(xué)的倫敦方程實(shí)際上就蘊(yùn)含了宏觀量子態(tài)的概念。1952年V.京茨堡與L.朗道提出的唯象超導(dǎo)理論就明確地引入了類似于宏觀波函數(shù)的復(fù)序參量來描述超導(dǎo)態(tài)。1957年J.巴丁等提出了正確的超導(dǎo)微觀理論,即BCS理論,其關(guān)鍵在于一對(duì)電子在動(dòng)量空間由于電子–聲子相互作用而形成庫(kù)珀對(duì),從而使電子系統(tǒng)也具有某些類似于玻色子系統(tǒng)的特征。1972年在2.7mK以下發(fā)現(xiàn)了 He超流態(tài), He原子也是費(fèi)米子,所以這也是費(fèi)米子配對(duì)的結(jié)果。從序參量的對(duì)稱性可以判斷配對(duì)態(tài)的特性:常規(guī)超導(dǎo)體是s波配對(duì)的自旋單態(tài),高溫超導(dǎo)體是d波配對(duì)的自旋單態(tài), He超流體是p波配對(duì)的自旋三態(tài),具有磁性。還有一些疑似p波配對(duì)的非常規(guī)超導(dǎo)體,正在研究之中。非常規(guī)超導(dǎo)體的機(jī)制也尚待澄清。1995年E.科納爾等在將稀薄 Rb氣體冷卻到極低溫(<μK)實(shí)現(xiàn)了玻色–愛因斯坦凝聚,這就將凝聚態(tài)物理學(xué)的研究領(lǐng)域擴(kuò)充到極低溫下的稀薄氣體。 納米結(jié)構(gòu)與介觀物理
由于對(duì)于一些簡(jiǎn)單材料的物性已經(jīng)比較清楚,從20世紀(jì)中葉開始就致力于將不同的材料按特定的結(jié)構(gòu)尺度(關(guān)聯(lián)于物性的某一特征長(zhǎng)度)來組織成材料與器件的復(fù)合體,從而獲得優(yōu)異的物理性能。如果所選的結(jié)構(gòu)尺度在納米范圍(1—100納米)之內(nèi),即為納米結(jié)構(gòu)。20世紀(jì)末這一領(lǐng)域引起學(xué)術(shù)界和社會(huì)上的廣泛重視。
量子力學(xué)認(rèn)為粒子可穿過納米尺度的勢(shì)壘而呈現(xiàn)隧道效應(yīng)。利用這一效應(yīng)可制備隧道結(jié)這類夾層結(jié)構(gòu),諸如半導(dǎo)體隧道二極管、單電子超導(dǎo)隧道結(jié)、庫(kù)珀對(duì)超導(dǎo)隧道結(jié)。后者體現(xiàn)了約瑟夫森效應(yīng)已成為超導(dǎo)電子學(xué)的核心器件。利用與自旋相關(guān)的隧道效應(yīng),則已制出具有隧道磁電阻的磁存儲(chǔ)器。 復(fù)合結(jié)構(gòu)若進(jìn)入電子費(fèi)米波長(zhǎng)的范圍,就呈現(xiàn)量子限制效應(yīng),導(dǎo)致了量子阱、量子線與量子點(diǎn)。半導(dǎo)體量子阱已用來制備快速晶體管和高效激光器。量子線的研究也卓有成效,納米碳管所揭示的豐富多彩的物性就是明證。量子點(diǎn)則可用以制備微腔激光器和單電子晶體管。利用鐵磁金屬與非磁金屬可制成磁量子阱,呈現(xiàn)巨磁電阻效應(yīng),可用作存儲(chǔ)器的讀出磁頭。這些事例說明了納米電子學(xué)(包括自旋電子學(xué))將成為固體電子學(xué)和光子學(xué)的發(fā)展主流。 納米結(jié)構(gòu)在基礎(chǔ)研究中也發(fā)揮了十分重要的作用:在兩維電子氣中發(fā)現(xiàn)了整數(shù)和分?jǐn)?shù)量子霍耳效應(yīng)以及維格納晶格,在一維導(dǎo)體中驗(yàn)證了盧廷格液體的理論,在一些人工納米結(jié)構(gòu)中發(fā)現(xiàn)了介觀量子輸運(yùn)現(xiàn)象。
軟物質(zhì)物理學(xué)
軟物質(zhì)又稱為復(fù)雜液體,是介于固體與液體之間的物相,液晶、乳膠、聚合物等均屬此類。軟物質(zhì)大都是有機(jī)物質(zhì),雖然在原子尺度上是無序的,但在介觀尺度上則可能出現(xiàn)某種規(guī)則而有序的結(jié)構(gòu)。如液晶分子是桿狀的,盡管其質(zhì)心不具有位置序,但桿的取向卻可能是有序的。又如聚合物是由柔軟的長(zhǎng)鏈分子所構(gòu)成,由于長(zhǎng)程無序的關(guān)聯(lián)性,因而遵循了類似于臨界現(xiàn)象的標(biāo)度律。20世紀(jì)70—80年代液晶物理學(xué)和聚合物物理學(xué)的建立,使凝聚態(tài)物理學(xué)從傳統(tǒng)的硬物質(zhì)成功地延拓到軟物質(zhì)。軟物質(zhì)在微小的外界刺激(溫度、外場(chǎng)或外力)下有顯著的響應(yīng)是其物性的特征,從而產(chǎn)生明顯的實(shí)用效果。一顆紐扣電池可驅(qū)動(dòng)液晶手表數(shù)年之久,就是證明。軟物質(zhì)變化過程中內(nèi)能變化甚微,熵的變化十分顯著,因而其組織結(jié)構(gòu)的變化主要由熵來驅(qū)動(dòng),和內(nèi)能驅(qū)動(dòng)的硬物質(zhì)迥然有別。熵致有序和熵致形變乃是軟物質(zhì)自組裝的物理基礎(chǔ)。 有機(jī)物質(zhì)(小分子和聚合物)的電子結(jié)構(gòu)與電子性質(zhì)也受到廣泛的重視。有機(jī)發(fā)光器件和電子器件正在研制開發(fā)之中。